離子研磨儀參數(shù)對(duì)研磨效果影響

1. 加速電壓（最核心）

• 電壓越高：離子沖擊力越強(qiáng)

  優(yōu)點(diǎn)：研磨速度快、硬材料好磨

  缺點(diǎn)：易產(chǎn)生離子注入、表層損傷、樣品發(fā)熱，軟材料容易燒糊

• 電壓越低：沖擊力柔和

  優(yōu)點(diǎn)：表層無損傷、平整度高，適合 EBSD、薄膜、塑料、鋰電材料

  缺點(diǎn)：研磨很慢

2. 離子束電流

• 電流大：束量大，去除速度快，易出現(xiàn)研磨不均、表面粗糙

• 電流?。菏骷?xì)膩，表面更光滑，制樣質(zhì)量高，效率偏低

3. 轟擊角度

• 角度越?。?0°~20°）：淺角度削拋，表面Ji致平整，適合平面拋光

• 角度越大（30°~45°）：切削力強(qiáng)，快速切截面，適合做斷面

• 角度過大：容易打崩脆性樣品（陶瓷、玻璃）

4. 樣品轉(zhuǎn)速

• 轉(zhuǎn)速快：研磨均勻，無陰陽(yáng)面、無條紋

• 轉(zhuǎn)速慢：局部轟擊久，容易出現(xiàn)深淺不一、弧形凹面

• 不轉(zhuǎn)：樣品單側(cè)過度研磨，截面歪斜

5. 腔體真空度

• 真空達(dá)標(biāo)：離子束筆直穩(wěn)定，研磨均勻、無白霧、無污染

• 真空不足：離子散亂、能量衰減，磨不動(dòng)、表面發(fā)霧、制樣報(bào)廢

6. 氬氣氣壓

• 氣壓偏高：離子多、束散，表面粗糙

• 氣壓偏低：離子少、效率低，研磨極慢

• 氣壓適中：束流穩(wěn)定，光潔度最好

7. 冷卻溫度

• 冷卻好：無熱變形、無碳化、無裂紋，高分子、電池材料不變形

• 無冷卻：樣品發(fā)燙，樹脂融化、塑料起泡、金屬產(chǎn)生熱應(yīng)力層

8. 研磨時(shí)間

• 時(shí)間不足：劃痕、機(jī)械損傷沒拋掉

• 時(shí)間過長(zhǎng)：過研磨，表層結(jié)構(gòu)被打壞、尺寸跑偏

9. 離子槍數(shù)量

• 單槍：適合簡(jiǎn)易截面，單側(cè)研磨

• 雙 / 三槍：quan方位均勻轟擊，大樣品平面平整度大幅提升