離子研磨儀 最簡工作原理

1. 抽真空設(shè)備腔體抽到高真空，防止離子亂跑、樣品氧化。
2. 電離產(chǎn)氣通入氬氣，通電把氬氣打成氬離子。
3. 電場加速高壓電場把氬離子加速，形成高速離子束。
4. 定向轟擊離子束斜著撞擊樣品表面，靠物理撞擊力把樣品表層原子一點(diǎn)點(diǎn)打飛。
5. 精準(zhǔn)拋光 / 削平樣品臺可旋轉(zhuǎn)、傾斜，均勻轟擊，慢慢把樣品磨平、磨出平整截面。

與 FIB（聚焦離子束）的區(qū)別

• 離子研磨儀（BIB）：寬束、大面積（毫米級）、快速率（數(shù)百 μm/h）、低損傷、成本低；適合大尺寸截面 / 平面批量制樣。

• FIB：聚焦細(xì)束（μm 級）、慢速率、可納米加工 / 沉積、成本高；適合微區(qū)定點(diǎn)切割、納米結(jié)構(gòu)制備。

六、典型參數(shù)（參考）

• 離子能量：1–10 kV（常用 5–8 kV）

• 加工速率：100–1000 μm/h（Si@8 kV）

• 有效加工面積：4×1 mm2（截面）、φ25 mm（平面）

• 樣品尺寸：最大50×50×10 mm