1. 關于使用 IGBT 的逆變電路

逆變器電路是與交流到直流轉(zhuǎn)換器電路配合使用的直流到交流轉(zhuǎn)換電路。該逆變器電路中使用 IGBT，輸出不同電壓和頻率的交流電。

開關 IGBT、調(diào)整 ON 和 OFF 間隔以及調(diào)整脈沖寬度。通過生成和整形不同的脈沖波，我們使它們更接近正弦波。這稱為脈沖寬度調(diào)制，這里經(jīng)常使用 IGBT。

通過使用脈寬調(diào)制的變頻來改變電機的轉(zhuǎn)速來控制家用電器的功能。廣泛應用于空調(diào)、冰箱、工業(yè)電機、電腦電源等家用電器。

2. IGBT和MOSFET的區(qū)別

IGBT 通常被描述為結合了 MOSFET 和 BJT（雙極結晶體管）最佳特性的器件，但與 MOSFET 相比，它們實際上有一些缺點。由于 IGBT 因其結構而具有偏置啟動電壓，因此 MOSFET 器件通常具有較低的 Vds，尤其是在低電流范圍內(nèi)。

IGBT 是專注于中高電流范圍的器件，因此在此范圍內(nèi)它們表現(xiàn)出比 MOSFET 更低的導通電阻，但在低功率范圍內(nèi)的效率很重要的應用中，MOSFET 是更優(yōu)選的特性。 。不用說，在Vds小于1V的區(qū)域，MOSFET在Vds = 2V以下的效率方面更勝，而IGBT在更高電壓下更勝。

3、關于IGBT模塊

由于 IGBT 是復雜的器件，因此需要花費精力來組裝它們，以便從頭開始控制其運行。因此，將信號處理、放大器電路、保護電路和寄生二極管等控制部分組合成復合模塊的IGBT模塊得到了廣泛的商業(yè)化。

IGBT 是一種晶體管，如果超過 SOA（安全操作區(qū)）和絕對最大額定值，很容易損壞，因此有些具有內(nèi)置保護電路。 IGBT 的開發(fā)是為了同時實現(xiàn)高擊穿電壓和開關速度，并且多年來一直在改進，但使用 SiC 和 GaN 等新型化合物半導體材料的功率半導體器件最近開始引入該功率器件領域。

這些下一代功率半導體器件可實現(xiàn)比 IGBT 更快的開關操作，并且具有優(yōu)異的耐壓性，因此近年來研究和開發(fā)變得更加活躍。但仍存在成本和供應問題等問題需要克服，并且不會取代目前所有的IGBT市場領域，暫時仍將繼續(xù)分離。